超薄金属薄膜中的巨自旋霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-11-26 v1 材料科学
摘要
我们预测，对于具有替代性 Bi 杂质的超薄贵金属薄膜，其自旋霍尔角可高达 80%。这种巨自旋霍尔效应是由样品维度减小导致的自旋霍尔电导率增强，以及共振杂质散射导致的电荷电导率大幅降低共同引起的。这些发现可用于通过应变工程创造具有高效率电荷到自旋电流转换的材料。
引用
@article{arxiv.1312.6539,
title = {Colossal Spin Hall Effect in Ultrathin Metallic Films},
author = {Christian Herschbach and Dmitry V. Fedorov and Martin Gradhand and Ingrid Mertig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.6539},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 5 figures