Bi掺杂n型Si中自旋泵浦诱导的逆自旋霍尔效应研究
介观与纳米尺度物理
2020-05-27 v1
摘要
当传导电子在铋的自旋轨道势上散射时，在n型硅中实验观测到逆自旋霍尔效应（ISHE）。硅层中的自旋电流由沉积在掺磷和铋的Si层上的薄坡莫合金（Py）层在铁磁共振期间磁化进动激发产生。根据沿[011]或[100]晶轴对齐的不同Py/n-Si:Bi结构的直流电压角依赖关系，我们得以区分平面霍尔效应（PHE）与ISHE的贡献。对于沿[011]晶轴对齐的结构，ISHE直流电压信号正比于sin{\theta}*sin2{\theta}乘积；对于[100]方向，则正比于sin{\theta}*cos2{\theta}。此外，在对应于sin2{\theta}依赖关系的角度处观测到PHE直流电压。这意味着对于作为多谷半导体的硅，n型材料中由浅施主诱导的自旋轨道势引起的自旋散射依赖于谷轴相对于磁场方向的取向。
引用
@article{arxiv.2002.08639,
title = {Study of the spin-pump-induced inverse spin-Hall effect in Bi doped n-type Si},
author = {A. A. Ezhevskii and D. V. Guseinov and A. V. Soukhorukov and A. V. Novikov and D. V. Yurasov and N. S. Gusev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.08639},
year = {2020}
}