硒化铋中逆自旋霍尔效应的观测
材料科学
2015-06-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
硒化铋 (Bi2Se3) 是一种拓扑绝缘体，表现出螺旋自旋极化和强自旋轨道耦合。自旋轨道耦合通过自旋霍尔效应 (SHE) 将电荷流与自旋流联系起来。我们通过将纯自旋流从磁性坡莫合金层注入到 Bi2Se3 薄膜中，演示了一种 Bi2Se3 自旋探测器，并在 Bi2Se3 中检测到了逆自旋霍尔效应。研究发现，Bi2Se3 的自旋霍尔角为 0.0093，室温下 Bi2Se3 中的自旋扩散长度为 6.2 nm。我们的结果表明，具有强自旋轨道耦合的拓扑绝缘体可用于功能性自旋电子器件。
引用
@article{arxiv.1404.1146,
title = {Observation of inverse spin Hall effect in bismuth selenide},
author = {Praveen Deorani and Jaesung Son and Karan Banerjee and Nikesh Koirala and Matthew Brahlek and Seongshik Oh and Hyunsoo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.1146},
year = {2015}
}