利用扫描隧道显微镜研究拓扑绝缘体中的表面自旋极化电子积累
介观与纳米尺度物理
2019-11-04 v1
摘要
本文报道了使用铁包覆钨针尖与带电流硒化铋（）样品的扫描隧道显微镜实验结果。观察到隧穿电流相对于通过 样品的偏置电流方向改变呈现不对称性。我们认为该不对称性是由拓扑保护表面电流模式中九十度电子自旋-动量锁定所引起的表面自旋极化电子积累的表征。结果表明，硒化铋（）样品的锡掺杂增强了表面自旋极化电子积累的表征。此外，在载流 样品中也观察到了自旋依赖态密度的出现。
引用
@article{arxiv.1911.00162,
title = {Study Of Surface Spin-Polarized Electron Accumulation In Topological Insulators Using Scanning Tunneling Microscopy},
author = {S. Tyagi and M. Dreyer and D. Bowen and D. Hinkel and P. J. Taylor and A. L. Friedman and R. E. Butera and C. Krafft and I. Mayergoyz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.00162},
year = {2019}
}