基于STM测量对钨膜中自旋霍尔效应的局域探测
介观与纳米尺度物理
2018-10-17 v2
摘要
利用基于STM的测量实验研究了钨膜中的自旋霍尔效应(SHE)。这些测量是使用钨和铁包覆钨针尖进行的。对于钨针尖，观察到流经钨膜的电流导致隧穿电流相对于隧穿电压极性变化出现显著的不对称性。其原因被归结为由于自旋霍尔效应导致钨膜表面自旋极化电子的积累。这种不对称性不受通过薄膜的偏置电流方向改变的影响。然而，在铁包覆钨针尖的情况下，观察到偏置电流方向的改变确实导致隧穿电流中额外的不对称性。因此实验证明这种不对称性是由SHE和铁包覆针尖的自旋相关态密度引起的。
引用
@article{arxiv.1707.06116,
title = {On local sensing of spin Hall effect in tungsten films by using STM-based measurements},
author = {Ting Xie and Michael Dreyer and David Bowen and Dan Hinkel and R. E. Butera and Charles Krafft and Isaak Mayergoyz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.06116},
year = {2018}
}
备注
20 pages, 11 figures