利用扫描隧道显微镜实验探测拓扑绝缘体中的表面自旋极化电子积累
介观与纳米尺度物理
2020-04-08 v1
摘要
拓扑绝缘体（TI）表面态的自旋-动量锁定导致由偏置电流流经 TI 样品引起的表面自旋极化电子积累。在此，我们证明扫描隧道显微镜可用于感知这种表面自旋极化电子积累。我们给出使用 Fe 包覆 W 针尖以及非磁性 W 针尖对 Sn 掺杂 BiSe 样品进行该感知的实验结果。我们观察到自旋积累随流经 TI 样品的偏置电流呈线性增加。
引用
@article{arxiv.2004.03563,
title = {Experimental detection of surface spin-polarized electron accumulation in topological insulators using scanning tunneling microscopy},
author = {S. Tyagi and M. Dreyer and D. Bowen and D. Hinkel and P. J. Taylor and A. L. Friedman and R. E. Butera and C. Krafft and I. Mayergoyz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.03563},
year = {2020}
}