面外磁场下不对称拓扑绝缘体薄膜中的自旋积累
介观与纳米尺度物理
2017-07-25 v1
摘要
本工作中，我们研究在不对称拓扑绝缘体(TI)薄膜系统中，由面内电场、面外磁场和面内磁化引起的自旋积累。TI薄膜不同于更常被研究的厚TI系统，在于前者具有顶和底两个表面，由于有限厚度，局域于两表面的态可相互耦合。在典型的TI薄膜系统自旋扭矩实验中，薄膜的顶面和底面是不对称的，因为顶面与铁磁层接触而底面邻接非磁衬底。这可能导致顶底表面态经历不同的(i)势和(ii)磁化强度。我们通过Kubo公式计算表明，这两种效应各自都能导致垂直于磁化方向的面内自旋积累，而在顶底对称的TI薄膜系统中则不存在此类积累。这种自旋积累源于零磁场等能轮廓周围自旋积累反对称性的破缺。
引用
@article{arxiv.1607.02550,
title = {Spin accumulation in asymmetric topological insulator thin films in out of plane magnetic fields},
author = {Zhuo Bin Siu and Debashree Chowdhury and Banasri Basu and Mansoor B. A. Jalil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.02550},
year = {2017}
}