拓扑绝缘体薄膜与铁磁层复合结构中高度可调的自旋轨道矩与各向异性磁电阻
介观与纳米尺度物理
2020-11-11 v2
摘要
我们研究了拓扑绝缘体（TI）薄膜与磁绝缘体复合结构中的自旋-电荷转换现象。我们发现了一种各向异性的逆自旋-galvanic 效应（ISGE），其产生高度可调的自旋轨道矩（SOT）。聚焦于准弹道极限，我们还预测了在低掺杂下的巨各向异性磁电阻（AMR）。这些在厚 TI 中无对应物的效应，依赖于表面态与面内磁化之间杂化的同时存在。ISGE 与 AMR 均表现出对磁化与费米能级位置的强烈依赖，并可用于纳米尺度的自旋电子学及基于 SOT 的应用。
引用
@article{arxiv.2003.02252,
title = {Highly Tunable Spin-Orbit Torque and Anisotropic Magnetoresistance in a Topological Insulator Thin Film Attached to Ferromagnetic Layer},
author = {Ali G. Moghaddam and Alireza Qaiumzadeh and Anna Dyrdał and Jamal Berakdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.02252},
year = {2020}
}
备注
6+5 pages, 4+1 figures