Bi2Se3/SiO2 拓扑绝缘体薄膜的厚度依赖磁输运
材料科学
2022-07-05 v1 强关联电子
摘要
拓扑绝缘体因其表面态相关性质而受到广泛研究，这些材料可用于各种自旋电子学、量子计算和光电子学应用。基于此，借助热沉积在 250 nm SiO2 衬底上沉积了不同厚度的硒化铋薄膜。本研究的动机是探究不同厚度下的表面与体相关行为。通过 GI-XRD（掠入射 X 射线衍射仪）和拉曼光谱对沉积薄膜进行表征，确保了无杂质沉积。进一步研究了输运性质，显示出系统中弱反局域化效应（WAL）的厚度依赖性，并提出这些 Bi2Se3/SiO2 薄膜为拓扑安德森绝缘体（TAI）。
引用
@article{arxiv.2207.01212,
title = {Thickness-Dependent Magneto Transport of Bi2Se3/SiO2 Topological Insulator thin films},
author = {Yogesh Kumar and Prince Sharma and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.01212},
year = {2022}
}
备注
15 Pages Text + Figs: Accepted JMSE