拓扑绝缘体 Bi2Se2Te 中的弱反局域化与表面主导输运
介观与纳米尺度物理
2014-11-18 v3 强关联电子
摘要
我们探索了通过脉冲激光沉积 (PLD) 技术生长的拓扑绝缘体材料 Bi2Se2Te 薄膜的相位相干性。利用各种技术对这些薄膜的相位和成分进行了表征，发现薄膜质量良好。我们对这些薄膜进行了广泛的磁输运研究，发现它们表现出二维弱反局域化行为。仔细分析表明，对于 PLD 生长的薄膜，其相位相干长度相对较高（在 1.78K 时为 58nm）。由于 PLD 是一种廉价的技术，且有可能与其他材料集成，因此可以制造出对低功耗自旋电子学和拓扑量子计算极其有用的器件。
引用
@article{arxiv.1407.3899,
title = {Weak-antilocalization and Surface Dominated Transport in Topological Insulator Bi2Se2Te},
author = {Radha Krishna Gopal and Sourabh Singh and Ramesh Chandra and Chiranjib Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3899},
year = {2014}
}
备注
16 pages