拓扑绝缘体薄膜中的线性磁电阻与表面-体态耦合
强关联电子
2017-12-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们探究了体态绝缘拓扑绝缘体薄膜中随温度变化的磁电阻。利用脉冲激光沉积技术生长了 Bi2Se2Te 和 BiSbTeSe1.6 薄膜，并进行了输运测量。磁输运测量表明在高磁场下存在非饱和的线性磁电阻（LMR）行为。我们给出了一个细致的分析，综合考虑所有现有的 LMR 模型来解释 LMR 的起源。此处我们认为体态绝缘态与金属性表面态构成了两个并联的导电路径。由此，我们能够将线性磁电阻行为解释为这些并联通道之间的竞争。我们观察到 LMR 起始的交叉场随温度升高而降低。我们提出该交叉场可从现象学上用于估算表面-体态耦合的强度。
引用
@article{arxiv.1702.00950,
title = {Linear magnetoresistance and surface to bulk coupling in topological insulator thin films},
author = {Sourabh Singh and R. K. Gopal and Jit Sarkar and Atul Pandey and Bhavesh G. Patel and Chiranjib Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.00950},
year = {2017}
}