拓扑绝缘体 Bi2Te3 薄膜中高达 60 特斯拉的磁阻
介观与纳米尺度物理
2013-01-18 v1 材料科学
摘要
我们报告了通过脉冲激光沉积生长的拓扑绝缘体 Bi_{2}Te_{3} 薄膜的磁输运研究。在几特斯拉至 60 特斯拉的磁场范围内，低温下观察到非饱和的类线性磁阻 (MR)。我们证明，高场下强烈的类线性 MR 可以很好地理解为 Hikami-Larkin-Nagaoka 理论所描述的弱反局域化现象。我们的分析表明，在我们的拓扑绝缘体系统中，弹性散射时间可以长于自旋 - 轨道散射时间。我们结合狄拉克费米子物理和“量子线性磁阻”的背景简要讨论了我们的结果。
引用
@article{arxiv.1212.6464,
title = {Magneto-resistance up to 60 Tesla in Topological Insulator Bi2Te3 Thin Films},
author = {S. X. Zhang and R. D. McDonald and A. Shekhter and Z. X. Bi and Y. Li and Q. X. Jia and S. T. Picraux},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.6464},
year = {2013}
}