拓扑狄拉克半金属α-Sn中的大磁电阻效应
介观与纳米尺度物理
2021-07-09 v1
摘要
拓扑量子材料中表面态的自旋-动量锁定可产生随磁场和电场线性变化的电阻。这种双线性磁电阻(BMER)效应为磁存储与磁场传感应用提供了全新的思路。然而,目前已展示的效应相对较弱或仅在低温下存在。如今在拓扑狄拉克半金属α-Sn薄膜中发现了强室温BMER效应。外延α-Sn薄膜通过溅射在硅衬底上生长,其BMER响应在室温下比先前报道值大10^6倍,也大于先前低温下的报道值。这些结果标志着向实际BMER应用迈出了重要一步。该数据还首次实现了对α-Sn中拓扑表面态三维费米能级自旋构型的表征。
引用
@article{arxiv.2107.03472,
title = {Large Magneto-Electric Resistance in the Topological Dirac Semimetal alpha Sn},
author = {Yuejie Zhang and Vijaysankar Kalappattil and Chuanpu Liu and Steven S. -L. Zhang and Jinjun Ding and Uppalaiah Erugu and Jifa Tian and Jinke Tang and Mingzhong Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.03472},
year = {2021}
}
备注
15 pages, 8 Figures