拓扑绝缘体表面态最小模型中的双线性磁电阻理论
介观与纳米尺度物理
2020-02-05 v1
摘要
在描述拓扑绝缘体（TI）表面电子态的最小模型内，我们从理论上研究了一种新的双线性磁电阻（BMR）机制。BMR 作为对电场的二阶响应出现，并线性依赖于电场（电流）和磁场。该机制基于电流诱导的自旋极化与由特殊自旋-轨道缺陷引起的散射过程之间的相互作用。我们将所提出的机制与基于费米面翘曲的机制进行了比较，并证明在较低费米能下该机制占主导地位。我们提供了一种基于格林函数形式的自洽理论方法，并表明在非平衡电流诱导自旋极化存在下，依赖于磁场的弛豫过程导致了 BMR 的产生。
引用
@article{arxiv.1908.08575,
title = {Theory of bi-linear magnetoresistance within the minimal model for surface states in topological insulators},
author = {A. Dyrdał and J. Barnaś and A. Fert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.08575},
year = {2020}
}