拓扑绝缘体上磁性邻近效应诱导的磁阻
介观与纳米尺度物理
2017-04-04 v2 材料科学
摘要
我们从理论上研究了在三维拓扑绝缘体（3D TI）表面发现的二维无质量 Dirac 电子的磁阻（MR），该表面由铁磁绝缘体（FI）覆盖。我们利用 Kubo 和 Boltzmann 理论计算了电荷与自旋输运，并考虑了阶梯顶点修正以及由正常无序和磁性无序引起的内散射。我们发现，诱导的交换劈裂产生了一个依赖于磁化方向的电导率，但其形式与各向异性磁阻和自旋 Hall 磁阻均非常不同。对于非磁性无序，面内磁阻严格为零，而面外磁化则导致很大的磁阻比。另一方面，我们确实在存在与 FI 磁化方向对齐的磁性无序时发现了面内磁阻和面内 Hall 效应。我们的结果可能有助于理解近期在 TI|FI 系统上的输运测量。
关键词
引用
@article{arxiv.1612.03395,
title = {Magnetic-proximity-induced magnetoresistance on topological insulators},
author = {Takahiro Chiba and Saburo Takahashi and Gerrit E. W. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.03395},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 5 figures, to appear in Phys. Rev. B