磁性拓扑绝缘体中的巨大单向磁阻

我们报道了在磁性/非磁性拓扑绝缘体（TI）异质结构 Cr$_x$(Bi$_{1-y}$Sb$_y$)$_{2-x}$Te$_3$/(Bi$_{1-y}$Sb$_y$)$_2$Te$_3$ 中，依赖于电流方向的单向磁阻（UMR），其幅度比其他已报道的系统大几个数量级。根据磁场和温度依赖性，该 UMR 被确认源于电子被磁子的非对称散射。具体而言，巨大的 UMR 是自旋动量锁定和 TI 表面费米波数较小的结果。事实上，UMR 在费米波数最小的 Dirac 点附近达到最大值。