拓扑绝缘体/铁磁层异质结构中的单向自旋霍尔磁电阻
介观与纳米尺度物理
2018-02-07 v1
摘要
拓扑绝缘体中的大自旋轨道耦合导致螺旋自旋织构的狄拉克表面态，这对拓扑自旋电子学很有吸引力。这些态在室温下对邻近磁矩产生有效的自旋轨道转矩。然而，基于此种翻转的记忆或逻辑自旋器件需要非最优的三端几何结构，其中两个端子用于写入电流，一个用于读取器件状态。现在通过利用最近在重金属/铁磁体双层以及（低温下）在磁掺杂拓扑绝缘体异质结构中发现的单向自旋霍尔磁电阻，可以实现替代的双端器件几何结构。我们报告了在结合拓扑绝缘体与传统铁磁金属的技术相关器件几何结构中观察到单向自旋霍尔磁电阻。我们的器件展示的优值（每电流密度每总电阻的磁电阻）可与全金属Ta/Co双层中报道的最高值相媲美。
引用
@article{arxiv.1701.06505,
title = {Unidirectional spin Hall magnetoresistance in topological insulator/ferromagnetic layer heterostructures},
author = {Yang Lv and James Kally and Delin Zhang and Joon Sue Lee and Mahdi Jamali and Nitin Samarth and Jian-Ping Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.06505},
year = {2018}
}