铁磁体/正常金属双层中的单向自旋霍尔磁电阻
介观与纳米尺度物理
2017-04-25 v2
摘要
磁电阻效应通常在磁化方向反转时保持不变。然而，在非中心对称导体中，非线性电阻项可产生对施加电压为二次、对磁化为一次的当前依赖关系。在此我们证明，在简单的双层金属膜中实现了此类条件，其中自旋轨道相互作用和自旋依赖散射将电流诱导的自旋积累与电导率耦合。我们表明，当反转电流极性或磁化符号时，Ta|Co和Pt|Co双层的纵向电阻发生变化。这种单向磁电阻随电流密度线性缩放，且在Ta和Pt中符号相反，我们将其归因于这些材料中由自旋霍尔效应引起的界面散射势的改变。我们的结果表明了一条在自旋电子器件中使用两终端几何结构控制电阻和检测磁化翻转的途径，这也适用于包含拓扑绝缘体的异质结构。
引用
@article{arxiv.1502.06898,
title = {Unidirectional spin Hall magnetoresistance in ferromagnet/normal metal bilayers},
author = {Can Onur Avci and Kevin Garello and Abhijit Ghosh and Mihai Gabureac and Santos F. Alvarado and Pietro Gambardella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06898},
year = {2017}
}