HM$_1$/Co/HM$_2$ 三层体系中的单向自旋霍尔磁电阻与自旋轨道转矩
介观与纳米尺度物理
2021-11-17 v1 材料科学
摘要
我们针对面内磁化的 Pt/Co/Ta 和 Ta/Co/Pt 三层膜，参考 Pt/Co 和 Ta/Co 双层膜，对谐波纵向与霍尔电压测量进行了详细分析。通过引入具有相反符号自旋霍尔角的第二重金属（HM），实现了自旋轨道转矩（SOT）与单向自旋霍尔磁电阻（USMR）的增强。提取的 SOT 效率在三层膜中比双层膜更大，证实了垂直磁化 Co 三层膜所报道的增强值。Pt/Co/Ta 三层膜的最大有效自旋霍尔角达到 = 20%。三层膜的 USMR 效应比相应双层膜高出至多 27%，在电荷电流密度 10 A/cm 下 Pt/Co/Ta 三层膜的最大有效 USMR 幅值为 -0.32 10。
引用
@article{arxiv.2111.08307,
title = {Unidirectional spin Hall magnetoresistance and spin-orbit torques in HM$_1$/Co/HM$_2$ trilayer systems},
author = {Anastasiia Moskaltsova and Denis Dyck and Jan-Michael Schmalhorst and Günter Reiss and Timo Kuschel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.08307},
year = {2021}
}