强自旋轨道耦合薄金属膜中的 Hanle 磁电阻
介观与纳米尺度物理
2016-02-10 v2
摘要
我们报道了在 Pt 和 Ta 薄膜中一种新型磁电阻的测量结果。由自旋霍尔效应在薄膜表面产生的自旋积累因 Hanle 效应在磁场中减少，导致电阻增加，正如 Dyakonov [PRL 99, 126601 (2007)] 所预言。该磁电阻的角依赖关系类似于最近在 Pt/Y3Fe5O12 双层膜中发现的自旋霍尔磁电阻，尽管并不需要有铁磁绝缘体的存在。我们表明，此 Hanle 磁电阻是一种替代的、简单的方法，用于定量研究强自旋轨道耦合金属中电荷与自旋电流之间的耦合。
引用
@article{arxiv.1502.04624,
title = {Hanle Magnetoresistance in Thin Metal Films with Strong Spin-Orbit Coupling},
author = {Saül Vélez and Vitaly N. Golovach and Amilcar Bedoya-Pinto and Miren Isasa and Edurne Sagasta and Mikel Abadia and Celia Rogero and Luis E. Hueso and F. Sebastian Bergeret and Fèlix Casanova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.04624},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 3 figures