Ni80Fe20与p型硅双层中自旋介导的增强负磁阻
介观与纳米尺度物理
2017-05-08 v1 材料科学
摘要
在本工作中，我们展示了关于Ni80Fe20 (50 nm)/p-Si (350 nm)双层中自旋介导的增强负磁阻的实验研究。电阻测量显示，在3T的面外施加磁场下，双层样品的电阻降低了约2.5%，而在氧化物衬底上的Ni80Fe20 (50 nm)样品降低了1.3%。在仅含Ni80Fe20的薄膜中，负磁阻行为归因于各向异性磁阻。我们提出，由自旋霍尔效应引起的自旋极化是双层中观察到的增强负磁阻的根本原因。硅具有较弱的自旋轨道耦合，因此自旋霍尔磁阻测量不可行。我们使用V2{\omega}和V3{\omega}测量作为磁场和垂直于电流方向的磁场角旋转的函数来阐明自旋霍尔效应。磁场的角旋转对V2{\omega}和V3{\omega}均显示出正弦行为，这归因于由自旋霍尔效应介导的自旋极化产生的自旋声子相互作用。我们提出，自旋极化导致空穴-声子散射减少，从而致使增强的负磁阻。
引用
@article{arxiv.1701.07049,
title = {Spin mediated enhanced negative magnetoresistance in Ni80Fe20 and p-silicon bilayer},
author = {Paul C Lou and Sandeep Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.07049},
year = {2017}
}
备注
17 pages 4 main figures and 2 supplementary figures