FeMn/Pt 双层结构中自旋霍尔磁电阻的厚度依赖性
介观与纳米尺度物理
2016-10-13 v2
摘要
我们研究了 FeMn/Pt 双层结构中的自旋霍尔磁电阻，发现其比重金属与绝缘铁磁体或反铁磁体双层系统大一个数量级，并与 NiFe/Pt 双层结构相当。自旋霍尔磁电阻显示出对 FeMn 和 Pt 厚度的非单调依赖性。前者可以通过 FeMn 薄膜中净磁化的厚度依赖性来解释，而后者主要归因于 Pt 中的自旋积累和扩散。通过对 Pt 厚度依赖性的分析，确定自旋霍尔角、Pt 的自旋扩散长度以及自旋混合电导的实部分别为 0.2、1.1 nm 和 。这些结果证实了最近在该系统中观察到的自旋轨道力矩效应。
引用
@article{arxiv.1609.07566,
title = {Thickness dependence of spin Hall magnetoresistance in FeMn/Pt bilayers},
author = {Yumeng Yang and Yanjun Xu and Kui Yao and Yihong Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.07566},
year = {2016}
}