3d过渡金属中的轨道汉勒磁电阻
介观与纳米尺度物理
2024-01-12 v1
摘要
汉勒磁电阻是非磁性导体中自旋进动的标志性特征，其中强自旋-轨道耦合通过自旋霍尔效应产生边缘自旋积累。本文报道了在具有弱自旋-轨道耦合的单层Mn中存在大的汉勒磁电阻，我们将其归因于轨道霍尔效应。在BiYIG/Mn双层中同时观察到可观的汉勒磁电阻和极小的自旋霍尔磁电阻，证实了这两种效应的轨道起源。我们估算出无序Mn中的轨道霍尔角为0.016，轨道弛豫时间为2 ps，扩散长度约为2 nm。我们的发现表明，电流诱导的轨道矩是导致磁电阻效应的原因，其效应可与自旋矩决定的效应相当甚至更大，并为研究非平衡轨道输运现象提供了工具。
引用
@article{arxiv.2401.05703,
title = {Orbital Hanle Magnetoresistance in a 3d Transition Metal},
author = {Giacomo Sala and Hanchen Wang and William Legrand and Pietro Gambardella},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.05703},
year = {2024}
}