垂直磁场中的垂直有机自旋阀

我们报告了在垂直有机自旋阀中进行的磁阻测量结果，其中磁场方向垂直于层堆叠。为了观察 Hanle 进动的痕迹，我们在仔细制备磁性电极的平行或反平行面内磁化状态后进行了磁阻测量。由于有机半导体中的低迁移率，自旋极化载流子的渡越时间应允许自旋在垂直场中进动，统计平均而言这将淬灭磁阻。然而，在任何实验中，我们在扫描垂直场直至电极磁化开始重新取向的过程中，均未观察到电阻的任何变化。这种 Hanle 型效应的缺失表明，磁阻并非基于自旋极化电子注入有机半导体，而是基于叠加了隧穿各向异性磁阻的针孔隧穿。