手性/半导体系统中反向 Hanle 自旋进动诱导的磁阻
介观与纳米尺度物理
2024-09-30 v1
摘要
在过去十年中，手性材料引起了广泛关注，因为人们普遍声称由于手性诱导自旋选择性（CISS）效应，它们可以作为自旋注入器/探测器。然而，这种效应的微观起源尚不清楚，并且关于手性系统和铁磁体之间产生的磁阻的表现形式存在激烈的讨论。正如传统的铁磁注入器/探测器所展示的那样，Hanle 自旋进动测量可以明确证明非磁性材料中自旋积累的注入和检测。在这里，我们详细分析了 Hanle 自旋进动诱导的磁阻，发现与铁磁情况相比，它是反向的。我们显式地建模了手性系统和铁磁系统的自旋注入和检测，以及半导体中的自旋输运，涵盖了一组涵盖相关实验区间的通用（自旋）输运参数。对于所有参数组，我们发现手性系统和铁磁体的 Hanle 信号是互为相反的。
引用
@article{arxiv.2409.18700,
title = {Inverted Hanle spin precession induced magnetoresistance in chiral/semiconductor systems},
author = {Sytze H. Tirion and Bart J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.18700},
year = {2024}
}