边界附近的 Hanle 效应

Hanle 效应描述了由于磁场中的进动导致的自旋极化抑制。这是一种标准的自旋电子学工具，可用于获取自旋均匀生成的样品的自旋寿命。我们研究了当自旋由外在自旋霍尔效应在扩散样品边界处生成时的 Hanle 效应。我们表明，Hanle 曲线具有空间依赖性，并且由其半宽倒数给出的“表观”自旋寿命在边界附近较短，即使自旋弛豫率是均匀的。