长距离横向硅自旋输运器件中几何退相限制的Hanle效应
材料科学
2009-11-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
由外磁场引起的自旋进动和退相（“Hanle效应”）的证据是半导体器件中自旋极化传导电子输运的唯一确凿证明。然而，当自旋退相非常强时，单轴磁场中的Hanle效应可能无法测量。使用横向注入-探测器间距超过2毫米的硅器件，以及几何诱导的退相使自旋输运完全不相干，我们从实验和理论上证明，使用双轴磁场仍然可以测量Hanle效应。
引用
@article{arxiv.0809.2225,
title = {Geometric dephasing-limited Hanle effect in long-distance lateral silicon spin transport devices},
author = {Biqin Huang and Hyuk-Jae Jang and Ian Appelbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.2225},
year = {2009}
}