n 型掺杂硅中的非欧姆自旋输运
材料科学
2009-11-13 v3 其他凝聚态物理
摘要
我们通过面内自旋阀和垂直磁场下的自旋进动与退相干（“Hanle 效应”）测量，展示了自旋极化电子在 n 型掺杂硅中的注入与输运。施加在输运层上的电压用于改变由导带弯曲引起的限制势，并控制漂移与扩散之间的主导输运机制。通过蒙特卡洛方案对该器件中的输运进行建模，我们模拟了观测到的自旋极化和 Hanle 特征，表明施加电压可将短硅输运层中的平均渡越时间控制四个数量级。因此，该建模使得尽管渡越长度很短，仍能推断出较长的电子自旋寿命。
引用
@article{arxiv.0711.4828,
title = {Non-ohmic spin transport in n-type doped silicon},
author = {Hyuk-Jae Jang and Jing Xu and Jing Li and Biqin Huang and Ian Appelbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.4828},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 7 figures