硅中自旋极化弹道热电子注入与探测导论
其他凝聚态物理
2009-10-15 v1 材料科学
摘要
弹道热电子输运克服了众所周知的电导率和自旋寿命失配问题，这些问题困扰着具有铁磁欧姆接触的半导体中的自旋注入。通过自旋相关的平均自由程，它还为输运后的自旋探测提供了一种手段。使用这些技术（包括自旋进动和自旋阀测量）在硅基器件上的实验结果揭示了半导体中由漂移主导的输运所导致的异常长的自旋寿命和高的自旋相干性。描述了一个适当的定量模型，该模型能精确模拟未掺杂和掺杂自旋输运通道的器件特性；它可用于确定自旋电流速度、扩散常数和自旋寿命，构成了一种无需飞行时间技术的自旋“Haynes-Shockley”实验。最后，对这些方法的未来前景进行了展望作为总结。
引用
@article{arxiv.0910.2606,
title = {Introduction to Spin-Polarized Ballistic Hot Electron Injection and Detection in Silicon},
author = {Ian Appelbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2606},
year = {2009}
}
备注
Review paper: "The Spin on Electronics!" Royal Society discussion meeting, London, 9/28/09-9/29/09