硅自旋场效应晶体管的实验实现
材料科学
2009-11-13 v1 其他凝聚态物理
摘要
利用纵向电场来控制(穿过未掺杂硅垂直沟道的)在垂直磁场中进动的自旋极化电子的渡越时间。由于所加电压决定了自旋探测器处的最终自旋方向,从而决定了输出集电极电流,这便构成了一种自旋场效应晶体管。改进的热电子自旋注入器可提供约 115% 的磁电流比,对应于电子电流在穿过 10 微米未掺杂单晶硅传输后至少具有约 38% 的自旋极化度,从而实现最大电流调制。
引用
@article{arxiv.0705.4260,
title = {Experimental realization of a silicon spin field-effect transistor},
author = {Biqin Huang and Douwe J. Monsma and Ian Appelbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.4260},
year = {2009}
}