在有限偏压电压下自旋场效应晶体管的电导调制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
研究了在有限偏压电压下自旋场效应晶体管的电导调制。我们发现，当在自旋场效应晶体管的两个端子之间施加有限偏压电压时，注入半导体通道中偏振自旋电子的自旋预cession 状态不仅取决于由栅极电压控制的拉希巴自旋轨道耦合，还取决于偏压电压，因此，由于拉希巴自旋轨道耦合导致的电导调制可能也对偏压电压敏感地依赖于偏压电压。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403199,
title = {Conductance modulation in spin field-efect transistors under finite bias voltages},
author = {Liangbin Hu and Ju Gao and Shun-Qing Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403199},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 3 figures, to appear in Physical Review B, (April, 2004)