非球形量子势效应晶体管通道中自旋动力学的调制
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了栅极电压对 Al0.3Ga0.7As/GaAs/Al0.3Ga0.7As异质结构中自旋松弛的影响。该研究的动机是近期提出的一种利用 Rashba 自旋轨道相互作用和 Dresselhaus 自旋轨道相互作用在器件通道中相互作用的非球形量子势晶体管。该模型使用真实材料参数，计算随栅极电压变化的自旋动力学。通过得到的结果我们定义了自旋偏振和自旋密度调制的效率。室温下自旋偏振的估计调制幅度约为 15-20%。结果表明该效应对于器件应用而言并不足够，但可以通过光脉冲探测技术进行实验观察。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407416,
title = {Modulation of spin dynamics in a channel of a non-ballistic spin field effect transistor},
author = {Ehud Shafir and Min Shen and Semion Saikin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407416},
year = {2007}
}
备注
9 pages