Fe/GaAs电自旋注入器件中非局域电压的温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1 材料科学
摘要
在Fe/GaAs自旋注入器件中，测量了非局域自旋电阻随温度变化的函数关系。对于表现出少数自旋注入的未退火样品，观察到自旋电阻可维持至室温，并以0.018\,K的速率随温度指数衰减。在440\,K下进行生长后退火增加了低温下的自旋信号，但衰减速率也增加至0.030\,K。通过测量GaAs沟道中的扩散常数和自旋寿命，我们得出结论：样品退火改变了注入和检测接触处的自旋转移效率的温度依赖性。令人惊讶的是，在表现出少数自旋注入的样品中，自旋转移效率反而提高了。
引用
@article{arxiv.1004.1034,
title = {Temperature dependence of the nonlocal voltage in an Fe/GaAs electrical spin injection device},
author = {G. Salis and A. Fuhrer and R. R. Schlittler and L. Gross and S. F. Alvarado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.1034},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures