非简并硅沟道中电学探测自旋积累的温度演化
介观与纳米尺度物理
2012-01-31 v1 材料科学
摘要
我们研究了在具有肖特基隧道势垒接触的非简并硅沟道中，通过三终端 Hanle 效应测量获得的自旋积累信号的温度演化。我们发现自旋提取和自旋注入条件下温度依赖的自旋信号存在明显差异。在低偏置电流的自旋注入条件下，尽管温度升高，自旋信号的幅度仍可增强。为解释温度依赖的自旋信号，除了考虑 Si 中的自旋扩散外，还必须考虑肖特基隧道势垒接触处自旋探测的灵敏度。
引用
@article{arxiv.1201.5950,
title = {Temperature evolution of spin accumulation detected electrically in a nondegenerated silicon channel},
author = {Y. Ando and K. Kasahara and S. Yamada and Y. Maeda and K. Masaki and Y. Hoshi and K. Sawano and M. Miyao and K. Hamaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.5950},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures