利用非局域三端法观测高掺杂 Si 中自旋扩散长度的弱温度依赖性
材料科学
2015-05-30 v2
摘要
我们利用非局域三端法实验研究了高掺杂 n 型硅中自旋扩散长度的温度依赖性。虽然在非局域四端法情况除外，自旋漂移效应在非金属材料中对自旋信号的偏压和温度依赖性不可忽略，但在常用于硅自旋电子学的非局域三端法中，自旋漂移如何影响高掺杂 Si 中的自旋输运特性尚未完全定论。在此，我们报道了 Si 中自旋扩散长度的温度依赖性，并阐明了自旋输运受外部电场的影响较小。
引用
@article{arxiv.1110.4187,
title = {Observation of weak temperature dependence of spin diffusion length in highly-doped Si by using a non-local 3-terminal method},
author = {M. Kameno and E. Shikoh and T. Oikawa and T. Sasaki and T. Suzuki and Y. Suzuki and M. Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4187},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 3 figures