自旋漂移对高掺杂 Si 中自旋积累电压的影响
材料科学
2015-06-03 v1
摘要
利用非局域四端（NL-4T）与三端（NL-3T）方法，研究了自旋漂移对高掺杂 Si 中自旋积累信号的影响。NL-4T 方案中的自旋信号不受自旋漂移影响，且其偏压依赖性取决于自旋是被注入还是从 Si 通道中被抽取。相比之下，NL-3T 方案中的自旋信号受到偏压电场的强烈调制。利用自旋漂移-扩散方程定量阐明了 NL-3T 方法中自旋信号的偏压电场依赖性，其结果可得到合理解释。
引用
@article{arxiv.1112.5232,
title = {The effect of spin drift on spin accumulation voltages in highly-doped Si},
author = {Makoto Kameno and Eiji Shikoh and Teruya Shinjo and Tomoyuki Sasaki and Tohru Oikawa and Yoshishige Suzuki and Toshio Suzuki and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.5232},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 3 figures