局域“自旋积累”器件的非弹性电子隧穿谱
材料科学
2014-10-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用非弹性电子隧穿谱 (IETS) 研究了在铁磁体/绝缘体/n-Si 隧道结的局域“三端”(3T) 测量中观察到的所谓“自旋积累”信号的起源。研究发现，IET 谱的电压偏置和磁场依赖性构成了 3T 磁阻信号的主要贡献，这表明该信号源于通过结界面及势垒内杂质和缺陷的非弹性隧穿，而非如先前假设的那样源于纯弹性隧穿进入体 Si 所导致的自旋积累。
引用
@article{arxiv.1405.2297,
title = {Inelastic electron tunneling spectroscopy of local "spin accumulation" devices},
author = {Holly N. Tinkey and Pengke Li and Ian Appelbaum},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.2297},
year = {2014}
}