铁磁体-绝缘体-半导体隧道结中自旋积累磁电阻的自洽模型
介观与纳米尺度物理
2014-12-08 v2 其他凝聚态物理
摘要
由于从极化铁磁体隧穿的电压偏置电流在顺磁半导体中产生的自旋积累，在实验上表现为一个小的附加自旋相关电阻。我们描述了一个严格模型，包含了电化学势分裂、自旋相关注入电流和施加电压之间必要的自洽性，可用于模拟这种所谓的“3T”信号随温度、掺杂、铁磁体体自旋极化、隧道势垒特征和电导非线性以及结电压偏置的变化。
引用
@article{arxiv.1408.1003,
title = {Self-consistent model of spin accumulation magnetoresistance in ferromagnet-insulator-semiconductor tunnel junctions},
author = {Ian Appelbaum and Holly N. Tinkey and Pengke Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.1003},
year = {2014}
}