通过界面态隧穿在半导体中注入和检测自旋
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1
摘要
评估了在具有界面局域态的半导体中自旋积累的注入和检测。处理了从铁磁接触通过顺序两步隧穿经由界面态的自旋输运，但不是单独处理，而是与直接隧穿并行。半导体沟道中感应的自旋积累并未像先前所论证的那样被抑制，而是通过界面态的额外自旋流得到真正增强。使用铁磁接触进行自旋检测得到沟道和局域态中自旋积累的加权平均值。在局域态中的自旋积累远大于沟道中的自旋积累的范围内，检测到的自旋信号对局域态中的自旋积累不敏感，铁磁体探测的是半导体沟道中的自旋积累。
引用
@article{arxiv.1203.4034,
title = {Injection and detection of spin in a semiconductor by tunneling via interface states},
author = {R. Jansen and A. M. Deac and H. Saito and S. Yuasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.4034},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 2 figures. Theory only