单电子晶体管中铁磁体的自旋积累——在共隧穿 regime 中的研究
介观与纳米尺度物理
2016-08-16 v1
摘要
我们提出了一种新的单电子晶体管中检测自旋积累的方法，这种方法克服了以往测量方案的诸多问题。铁磁电极导致的自旋相关电流会在金属岛上产生自旋积累。由于充能量引起的电化学势的自旋分裂（即额外的能量偏移），可从电流-电压特性中两个共振峰之间的间距中检测到这一自旋分裂。我们在实时图谱方法的框架下获得了这些结果，这种方法允许研究在强非平衡情形下较高阶（共）隧穿过程。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204354,
title = {Spin accumulation in ferromagnetic single-electron transistors in the cotunneling regime},
author = {Jan Martinek and Józef Barnas and Sadamichi Maekawa and Herbert Schoeller and Gerd Schön},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204354},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 5 figures