硅基金属 - 氧化物 - 半导体异质结构中 FMR 驱动自旋泵浦的自旋积累探测
材料科学
2013-11-06 v1
摘要
利用自旋霍尔效应及其逆效应来电学探测和操控通过铁磁共振（FMR）驱动自旋泵浦产生的动态自旋流，使得人们能够在多种铁磁材料中研究这些动态注入的电流。然而，尽管该方法已被证明是探索自旋泵浦过程的宝贵诊断工具，但它需要强自旋轨道耦合，从而大大限制了可用于探测器/沟道材料的材料基础（主要是 Pt、W 和 Ta）。在此，我们报道了通过在硅基金属 - 氧化物 - 半导体（MOS）异质结构中测量自旋积累电压，将 FMR 驱动的自旋泵浦注入到弱自旋轨道沟道中。这种替代实验方法使得能够在具有弱自旋轨道耦合和长自旋寿命的广泛材料类中研究动态自旋泵浦，同时通过基于 Hanle 效应的有效自旋寿命测量，提供关于注入自旋系综相位演化的额外信息。
引用
@article{arxiv.1311.0965,
title = {Spin accumulation detection of FMR driven spin pumping in silicon-based metal-oxide-semiconductor heterostructures},
author = {Yong Pu and P. M. Odenthal and R. Adur and J. Beardsley and A. G. Swartz and D. V. Pelekhov and R. K. Kawakami and J. Pelz and P. C. Hammel and E. Johnston-Halperin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0965},
year = {2013}
}
备注
24 pages, 6 figures