非简并硅自旋器件中由自旋漂移效应引起的大自旋积累电压观测：实验与理论
材料科学
2016-06-15 v1
摘要
在室温下，通过局域三端磁电阻在非简并硅基横向自旋阀（LSVs）中测量到在 1 mA 下超过 1.5 mV 的大自旋积累电压，即 1.5 {\Omega} 的磁电阻。这是在基于半导体的 LSVs 中测得的最大自旋积累电压。成功解释自旋漂移效应的修正自旋漂移-扩散模型，说明了该大自旋积累电压以及显著的偏置电流极性依赖关系。该模型还表明，在电学双端方案中自旋漂移效应增强了自旋相关磁电阻。该发现为自旋金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的工作提供了有用的指导原则。
引用
@article{arxiv.1601.00759,
title = {Observation of large spin accumulation voltages in non-degenerate Si spin devices due to spin drift effect: Experiments and theory},
author = {Takayuki Tahara and Yuichiro Ando and Makoto Kameno and Hayato Koike and Kazuhito Tanaka and Shinji Miwa and Yoshishige Suzuki and Tomoyuki Sasaki and Tohru Oikawa and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.00759},
year = {2016}
}
备注
29 pages, 6 figures, 2 tables