横向 MnGa/GaAs/MnGa 自旋阀器件中的大磁阻与自旋相关输出电压
介观与纳米尺度物理
2020-02-24 v1 材料科学
量子物理
摘要
我们研究了一种具有 600 nm 长 GaAs 沟道和具有垂直磁化的铁磁性 MnGa 电极的横向自旋阀器件中的自旋相关输运性质。其电流-电压特性在 50 K 以下呈现非线性行为，表明在低温下通过 MnGa/GaAs 肖特基势垒的隧穿输运占主导。当施加垂直于膜面的磁场时，我们在 4 K 下观察到高达 12% 的清晰磁阻（MR）比。此外，获得了 33 mV 的大自旋相关输出电压。这些数值是迄今为止报道的横向铁磁金属/半导体/铁磁金属自旋阀器件中最高的。
引用
@article{arxiv.1911.11295,
title = {Large magnetoresistance and spin-dependent output voltage in a lateral MnGa/GaAs/MnGa spin-valve device},
author = {Koki Chonan and Nguyen Huynh Duy Khang and Masaaki Tanaka and Pham Nam Hai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.11295},
year = {2020}
}