横向(Ga,Mn)As/GaAs自旋Esaki二极管器件中的局域自旋阀效应
材料科学
2010-11-11 v1
摘要
我们报道了在全半导体全电学横向自旋注入器件中明确观察到的局域自旋阀效应，该器件采用p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki二极管结构作为自旋对准接触。我们将观察到的局域自旋阀信号归因于自旋输运相关贡献与磁性接触的隧穿各向异性磁电阻之间的相互作用。自旋相关磁电阻变化的大小为30欧姆，是测得的非局域信号幅度的两倍。
引用
@article{arxiv.1011.2356,
title = {Local spin valve effect in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices},
author = {Mariusz Ciorga and Christian Wolf and Andreas Einwanger and Martin Utz and Dieter Schuh and Dieter Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.2356},
year = {2010}
}
备注
submitted to Appl. Phys. Lett