横向(Ga,Mn)As/GaAs自旋Esaki二极管器件中的隧穿各向异性自旋极化

我们在此报告了在全半导体全电学自旋注入器件中获得的自旋极化各向异性，该器件采用$p^{+}-$(Ga,Mn)As/$n^{+}-$GaAs Esaki二极管结构作为自旋排列接触，这是由于自旋隧穿效率依赖于自旋相对于不同晶向的取向。我们观察到，对于沿$[1\bar{1}0]$或$[110]$方向取向的自旋，面内各向异性约为$8\%$，而自旋面内与垂直于面取向之间的各向异性约为$25\%$。