GaN双势垒结构中的自旋电流与电极化
其他凝聚态物理
2009-11-13 v1
摘要
计算了压电AlGaN/GaN双势垒结构中的隧穿自旋极化。结果表明，压电场和自发极化提高了隧穿自旋注入的效率。电极化与自旋取向之间的关系允许通过调节势垒中的Al含量来操控晶格失配应变，从而设计零磁场自旋注入。
引用
@article{arxiv.0706.3240,
title = {Spin current and electrical polarization in GaN double-barrier structures},
author = {V. I. Litvinov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.3240},
year = {2009}
}
评论
13 pages, 6 figures