AlN/GaN:Cr (0001) 异质结构中的半金属性与高效自旋注入
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
对 Cr 掺杂的 AlN/GaN (0001) 异质结构的结构、电子和磁性质的第一性原理研究揭示，Cr 会偏析到 GaN 区域，这些界面保留了其重要的半金属特性，从而能够通过 AlN 隧道势垒实现从铁磁 GaN:Cr 电极的高效（100%）自旋极化注入——该势垒的高度和宽度可以通过调节梯度带隙工程化的 Al(1-x)Ga(x)N (0001) 层中的 Al 浓度来控制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0410455,
title = {Half-metallicity and efficient spin injection in AlN/GaN:Cr (0001) heterostructure},
author = {J. E. Medvedeva and A. J. Freeman and X. Y. Cui and C. Stampfl and N. Newman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0410455},
year = {2009}
}
备注
submitted for publication