电荷注入诱导嵌入石墨烯的六方氮化硼团簇的半金属性
介观与纳米尺度物理
2012-12-05 v1
摘要
我们研究了嵌入石墨烯超晶胞中的 h-BN 三角形团簇的电子结构和磁性。我们发现，取决于团簇的尺寸及其之间石墨烯隔离区域的宽度，自旋极化可以通过电荷掺杂诱导，甚至在中性态下也能观察到。在这些情况下，某些带电态呈现出半金属性，而这些态在其他情况下是金属性的。在这些半金属态中，自旋密度集中在团簇边缘附近，这与锯齿形石墨烯纳米带和 h-BN/石墨烯插层纳米带中更常见的半金属预测类似。由于 h-BN 域在石墨烯中的实验实现已有报道，这些异质结构可成为纳米电子学和自旋电子学应用的合适候选者。
引用
@article{arxiv.1212.0574,
title = {Half-metallicity induced by charge injection in hexagonal boron nitride clusters embedded in graphene},
author = {Marcos G. Menezes and Rodrigo B. Capaz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0574},
year = {2012}
}