C-BN异质结构界面诱导半半金属性的起源
材料科学
2012-10-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
对C-BN异质结进行了第一性原理密度泛函计算。结果表明，锯齿形石墨烯条带边缘态的磁性与BN条带中的极性效应共同作用，产生自旋不对称屏蔽，从而在界面处诱导出半半金属性，其中一种自旋取向的能隙至少为十分之几电子伏，而另一种自旋取向的能隙仅为百分之几电子伏。讨论了与条带宽度的依赖关系，表明需要一定范围的条带宽度才能获得半半金属性。这些结果为调控纳米界面处的电子性质以及探索类似于氧化物界面处观察到的低维新物理效应开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.1002.1018,
title = {Origin of half-semimetallicity induced at interfaces of C-BN heterostructures},
author = {J. M. Pruneda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1018},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 4 figures