混合 C/BN 纳米结构中的本征缺陷
材料科学
2012-10-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
针对近期被预测具有半金属特性的锯齿型边缘混合 C/BN 纳米片和纳米管，本文进行了替位缺陷和空位的第一性原理计算。形成能表明，缺陷优先在石墨烯与 BN 区域之间的界面处形成，而非在这些区域的中间，且替位缺陷多于空位。化学控制可用于促使缺陷局域在 C-B 界面（富氮环境）或 C-N 界面（贫氮环境）。尽管此处考虑了较大的缺陷浓度（106 cm-1），但当缺陷局域在 C-B 界面以及带负电的缺陷局域在 C-N 界面时，半金属特性可以保留，因此如果在合成过程中对这些点缺陷进行适当工程化处理，理论上预测的这些锯齿型边缘纳米界面所具有的 promising 磁性可能不会被点缺陷破坏。
关键词
引用
@article{arxiv.1111.0780,
title = {Native defects in hybrid C/BN nanostructures},
author = {J. M. Pruneda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.0780},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 5 figures